Mε το Illumina Geographic Diversity Award, θα βραβευτεί ο Φιλιππιαδιώτης Ευάγγελος Ευαγγέλου, καθηγητής Ιατρικής στο Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων, ως επικεφαλής διεθνούς μελέτης. Εντόπισε περιοχές του DNA σχετικές με την αρτηριακή πίεση

Με τη συμμετοχή της Ελλάδας συνεχίζεται η παγκόσμια επιστημονική έρευνα για την επιρροή του DNA του ατόμου στην αρτηριακή πίεση του αίματος και στην εκδήλωση της υπέρτασης. μελέτη της οποίας ηγείται ο Δρ Ευάγγελος Ευαγγέλου, επίκουρος καθηγητή Κλινικής και Μοριακής Επιδημιολογίας, του εργαστηρίου Υγιεινής και Επιδημιολογίας της Ιατρικής Σχολής του Πανεπιστημίου Ιωαννίνων έχει εντοπίσει δεκάδες γενετικές περιοχές που σχετίζονται με την αρτηριακή πίεση και μάλιστα θα τιμηθεί με το βραβείο Illumina Geographic Diversity Award.

Μια από τις μεγαλύτερες μελέτες, με περισσότερους από 347.000 συμμετέχοντες από την Ευρώπη, Αμερική κι Ασία, έχει ήση αναδείξει 31 γονίδια που σχετίζονται με την αρτηριακή πίεση του αίματος. Οι ερευνητές έχουν εντοπίσει σπάνιες σε τρία γονίδια με σχεδόν διπλάσια επίδραση στην αρτηριακή πίεση τα οποία πιθανόν να αποτελέσουν μελλοντικούς θεραπευτικούς στόχους. 

Σε μια, δεύτερη μελέτη, που δημοσιεύτηκε ταυτόχρονα, 17 νέες περιοχές στο γονιδίωμα βρέθηκαν να σχετίζονται με την ρύθμιση της αρτηριακής πίεσης.

Για τις δύο μελέτες συνεργάστηκαν ερευνητές από 15 χώρες μεταξύ των οποίων ο Δρ Ευάγγελος Ευαγγέλου, Επίκουρος Καθηγητή Κλινικής και Μοριακής Επιδημιολογίας, του εργαστηρίου Υγιεινής και Επιδημιολογίας της Ιατρικής Σχολής του Πανεπιστημίου Ιωάννινων. 

Οι δύο μελέτες (Trans-ancestry meta-analyses identify rare and common variants associated with blood pressure and hypertension και The genetics of blood pressure regulation and its target organs from association studies in 342,415 individuals) δημοσιεύτηκαν πρόσφατα στο Nature Genetics και πλέον ο συνολικός αριθμός των γονιδίων που εμπλέκονται στη ρύθμιση της αρτηριακής πίεσης είναι περίπου 100, αποκρυπτογραφώντας τη γενετική αρχιτεκτονική της αρτηριακής πίεσης και προσφέροντας νέους θεραπευτικούς στόχους.

Ο Δρ Ευαγγέλου ηγείται μια τρίτης διεθνούς μελέτης σε περισσότερα από 700.000 άτομα, τα πρωταρχικά αποτελέσματα της οποίας έχουν δείξει πως δεκάδες επιπλέον γενετικές περιοχές σχετίζονται με την αρτηριακή πίεση. 

Τα αποτελέσματα θα παρουσιαστούν στο Διεθνές Συνέδριο Γενετικής Επιδημιολογίας που θα λάβει χώρα στο Τορόντο του Καναδά, στις 24-26 Σεπτεμβρίου. 

Για τη μελέτη αυτή ο Δρ Ευαγγέλου έχει επιλεγεί να τιμηθεί με το βραβείο Illumina Geographic Diversity Award. 

To βιογραφικό του Ευάγγελου Κ. Ευαγγέλου

Γραφείο:  Φ3-104β

Εργαστήριο: Φ3-105

Τηλ Γραφείου:  26510-08494

Τηλ Εργαστηρίου: 26510-08498

Fax: 26510-08677

Ε-mail: eevagel@uoi.gr

Προσωπική Ιστοσελίδα: http://users.uoi.gr/eevagel

Εκπαίδευση

• 1985: Πτυχίο Φυσικής, Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων.
• 1994: Διδακτορικό Δίπλωμα, Τμήμα Φυσικής, Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων.

Σταδιοδρομία

• 2003-σήμερα: Επίκουρος Καθηγητής, Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων.
• 1995-2003: Λέκτορας, Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων.
• Σεπτέμβριος 1993-Οκτώβριος 1995: Ελεύθερος επαγγελματίας.

Ερευνητικά Ενδιαφέροντα

• Ανάπτυξη με ΜΒΕ και μελέτη υπέρλεπτων υμενίων οξειδίων μετάλλων για χρήση σε διατάξεις CMOS. Μεταξύ αυτών είναι οξείδια μεταβατικών μετάλλων και οξείδια σπανίων γαιών.
• Μελέτη της ανάπτυξης μεταλλικών υμενίων επάνω σε υποστρώματα καθαρού Γερμανίου (δίοδοι Schottky)
• Μελέτη αξιοπιστίας διατάξεων MOS βασισμένων σε οξείδια υψηλής διηλεκτρικής σταθεράς.

Αντιπροσωπευτικές Δημοσιεύσεις

[1] Ν.Konofaos, Ε.K.Evangelou, X.Aslanoglou, M.Kokkoris, R.Vlastou, "Dielectric properties of CVD grown SiON thin films on Si for MOS microelectronic devices",Semiconductor Science & Technology 19, pp. 50-53 (2004).

[2] S.Logothetidis, P.Patsalas, E.K.Evangelou, N.Konofaos, J.Tsiaousis and N.Frangis,  "Dielectric Properties and Electronic Transitions of Porous and Nanostructured CeO₂ Films", Materials Science and Engineering B, 109, 1-3, pp. 69-73 (2004).

[3] N.Konofaos, E.K.Evangelou, Z. Wang and U.Helmersson,  "Characterisation of Al/SrTiO₃/ITO capacitors for microelectronic applications"

IEEE Transactions on Electron Devices, 51 (7), pp. 1202-1205. (2004).

[4] Dimoulas, G. Mavrou, G. Vellianitis, E. Evangelou, N. Boukos, M. Houssa and M. Caymax, "HfO₂ high- k gate dielectrics on Ge (100) by atomic oxygen beam deposition", Appl. Phys. Lett. 86, 032908 (2005) .

[5] Ν.Konofaos, I.Deliyianakis, E.K.Evangelou, M.Gioti, S.Logothetidis, "An electrical, optical and EPR study of room temperature deposited CN_X films on Si." Thin Solid Films, Vol. 482(1-2), pp. 270-274 (2005).

[6] N Konofaos, Z Wang, Th K Voilas, S N Georga, C A Krontiras, M N Pisanias, J Sotiropoulos and E K Evangelou, "Temperature dependence of the electrical properties of MOS devices constructed by sol gel deposited BaTiO3 films on p-Si",  Journal of Electronic Materials, 34(9), pp. 1259-1263, (2005).

[7] Dimoulas, G. Vellianitis, G. Mavrou, E.K. Evangelou, K. Argyropoulos, and M. Houssa, "Minority carrier response time in HfO₂/Ge metal -insulator -semiconductor capacitors", Microelectronic Engineering 80, 34 (2005).

[8] Dimoulas, G. Vellianitis, G. Mavrou, E.K. Evangelou, A. Sotiropoulos  "Intrinsic carrier effects in HfO₂-Ge metal-insulator-semiconductor capacitors", Appl. Phys. Lett. 86, 223507 (2005).

[9] Dimoulas, D.P. Brunco, S. Ferrari, J.W. Seo, Y. Panayiotatos, A. Sotiropoulos, T. Conard, M. Caymax, S. Spiga, M. Fanciulli, Ch. Dieker, E. K. Evangelou, S. Galata, M. Houssa, M. M. Heyns,  "Interface engineering for Ge MOS devices",  accepted for publication in Thin Solid Films, 2006.

Μαίρη Μπιμπή

www.health.in.gr